光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2005年
8期
969-972
,共4页
微接触电调制反射谱(LCER)%光调制反射谱(PR)%量子阱
微接觸電調製反射譜(LCER)%光調製反射譜(PR)%量子阱
미접촉전조제반사보(LCER)%광조제반사보(PR)%양자정
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压.给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法.
提齣一種微接觸電調製反射譜(LCER)測試方法,該方示與無接觸電調製反射(CER)譜相比較,可極大降低調製電壓.給齣瞭自製的詳細樣品架結構,測量瞭InGaAs/GaAs量子阱樣品,併與光調製反射譜(PR)相比較,結果證實瞭此方法的可行性和高光譜靈敏度,錶明樣品與電極的輕微接觸既對測量結果沒有明顯的影響,又可簡化測試條件,降低對測量環境的要求,是研究半導體材料和微結構一種方便而又有效的方法.
제출일충미접촉전조제반사보(LCER)측시방법,해방시여무접촉전조제반사(CER)보상비교,가겁대강저조제전압.급출료자제적상세양품가결구,측량료InGaAs/GaAs양자정양품,병여광조제반사보(PR)상비교,결과증실료차방법적가행성화고광보령민도,표명양품여전겁적경미접촉기대측량결과몰유명현적영향,우가간화측시조건,강저대측량배경적요구,시연구반도체재료화미결구일충방편이우유효적방법.
