固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
2期
175-178
,共4页
彭龙新%李建平%李拂晓%杨乃彬
彭龍新%李建平%李拂曉%楊迺彬
팽룡신%리건평%리불효%양내빈
宽带%平坦高增益%低噪声%反馈放大器%电流增益效率%微波单片集成电路
寬帶%平坦高增益%低譟聲%反饋放大器%電流增益效率%微波單片集成電路
관대%평탄고증익%저조성%반궤방대기%전류증익효솔%미파단편집성전로
使用0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术,设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器.在工作频率5-22 GHz内,测得增益G≥18 dB,带内增益波动△G≤±0.35 dB,噪声系数NF≤3.2 dB,输入输出驻波VSWR≤1.7,最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10.5 dBm,电流增益效率达2.77 mA/dB.测试结果验证了设计的正确性.
使用0.25 μm GaAs PHEMT工藝技術,設計和製造瞭性能優良的5-22 GHz兩級併聯反饋單片低譟聲放大器.在工作頻率5-22 GHz內,測得增益G≥18 dB,帶內增益波動△G≤±0.35 dB,譟聲繫數NF≤3.2 dB,輸入輸齣駐波VSWR≤1.7,最小分貝壓縮點輸齣功率P1dB≥10.5 dBm,電流增益效率達2.77 mA/dB.測試結果驗證瞭設計的正確性.
사용0.25 μm GaAs PHEMT공예기술,설계화제조료성능우량적5-22 GHz량급병련반궤단편저조성방대기.재공작빈솔5-22 GHz내,측득증익G≥18 dB,대내증익파동△G≤±0.35 dB,조성계수NF≤3.2 dB,수입수출주파VSWR≤1.7,최소분패압축점수출공솔P1dB≥10.5 dBm,전류증익효솔체2.77 mA/dB.측시결과험증료설계적정학성.
