功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响
공솔밀도대VHF-PECVD제비μc-Si:H적영향
Effect of Power Density on the Properties of μc-Si:H Deposited by VHF-PECVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 6期 1160-1163 ,共4页

    郭学军%卢景霄%文书堂%杨根%陈永生%张庆丰%谷锦华

    곽학군%로경소%문서당%양근%진영생%장경봉%곡금화

    μc-Si:H%VHF-PECVD%功率密度%孵化层%成核密度 μc-Si:H%VHF-PECVD%功率密度%孵化層%成覈密度
    μc-Si:H%VHF-PECVD%공솔밀도%부화층%성핵밀도
    在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.
    재불동공솔밀도하용심고빈화학기상침적(VHF-PECVD)법제비료일계렬미정규(μc-Si:H)박막,병대박막적미관결구진행료연구.중점연구료재교저적공솔밀도하,공솔밀도적개변대박막침적속솔화결정상황적영향.결과표명,수착공솔밀도적제고,침적속솔축점가대,진일보제고공솔밀도시,침적속솔추우포화;여차동시,박막적부화층후도화형핵밀도수공솔밀도이변화.
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