大连民族学院学报
大連民族學院學報
대련민족학원학보
JOURNAL OF DALIAN UNIVERSITY FOR NATIONAL MINORITIES
2009年
1期
45-50
,共6页
尹晔珺%李东明%刘东平%谷建东%牛金海%冯志庆
尹曄珺%李東明%劉東平%穀建東%牛金海%馮誌慶
윤엽군%리동명%류동평%곡건동%우금해%풍지경
DBD-PECVD%a-C:F%C4F8%接触角%疏水特性
DBD-PECVD%a-C:F%C4F8%接觸角%疏水特性
DBD-PECVD%a-C:F%C4F8%접촉각%소수특성
以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜.使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影响.实验结果表明,薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大,最大值为193 nm·min-1;当放电压力较低时,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放电压力较高时,薄膜的RMS值大于100 nm.无论是改变放电压力还是沉积时间,a-C:F薄膜均表现出很强的疏水特性,最大接触角(以普通滤纸为基底)可达137°.a-C:F薄膜的表面粗糙度是影响a-C:F薄膜疏水性的重要因素.
以C4F8為放電氣體,利用介質阻擋放電化學氣相沉積(DBD-PECVD)法製備瞭氟碳聚閤物(a-C:F)薄膜.使用FTIR、AFM、接觸角測量儀、檯階儀對a-C:F薄膜進行瞭錶徵,研究瞭放電壓力及沉積時間對a-C:F薄膜的沉積速率、均方根錶麵粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影響.實驗結果錶明,薄膜的沉積速率隨放電壓力的升高而增大,最大值為193 nm·min-1;噹放電壓力較低時,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放電壓力較高時,薄膜的RMS值大于100 nm.無論是改變放電壓力還是沉積時間,a-C:F薄膜均錶現齣很彊的疏水特性,最大接觸角(以普通濾紙為基底)可達137°.a-C:F薄膜的錶麵粗糙度是影響a-C:F薄膜疏水性的重要因素.
이C4F8위방전기체,이용개질조당방전화학기상침적(DBD-PECVD)법제비료불탄취합물(a-C:F)박막.사용FTIR、AFM、접촉각측량의、태계의대a-C:F박막진행료표정,연구료방전압력급침적시간대a-C:F박막적침적속솔、균방근표면조조도(RMS)화a-C:F박막소수성적영향.실험결과표명,박막적침적속솔수방전압력적승고이증대,최대치위193 nm·min-1;당방전압력교저시,박막적RMS치소우1.0 nm;방전압력교고시,박막적RMS치대우100 nm.무론시개변방전압력환시침적시간,a-C:F박막균표현출흔강적소수특성,최대접촉각(이보통려지위기저)가체137°.a-C:F박막적표면조조도시영향a-C:F박막소수성적중요인소.
