电讯技术
電訊技術
전신기술
TELECOMMUNICATIONS ENGINEERING
2010年
1期
93-97
,共5页
韦保林%戴宇杰%张小兴%吕英杰
韋保林%戴宇傑%張小興%呂英傑
위보림%대우걸%장소흥%려영걸
CMOS有源混频器%衬底效应%低电压%低本振功率
CMOS有源混頻器%襯底效應%低電壓%低本振功率
CMOS유원혼빈기%츤저효응%저전압%저본진공솔
设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器.通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性.采用0.18 μm CMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12 dB.
設計瞭一種可工作于0.9 V低電壓和-5 dBm本振功率的CMOS有源混頻器.通過在MOS管柵極和襯底間引入耦閤電容,利用襯底效應加快MOS管的導通和截止,使開關對的開關狀態更理想,有效地降低混頻器的譟聲併提高其線性特性.採用0.18 μm CMOS工藝設計,在2.45 GHz本振信號和2.44 GHz射頻信號輸入下,實驗結果錶明該混頻器可有效地實現混頻且具有較好的性能指標:電壓轉換增益為12.4 dB,輸入三階截斷點為-0.6 dBm,輸入1dB壓縮點為-3.4 dBm,單邊帶譟聲繫數為12 dB.
설계료일충가공작우0.9 V저전압화-5 dBm본진공솔적CMOS유원혼빈기.통과재MOS관책겁화츤저간인입우합전용,이용츤저효응가쾌MOS관적도통화절지,사개관대적개관상태경이상,유효지강저혼빈기적조성병제고기선성특성.채용0.18 μm CMOS공예설계,재2.45 GHz본진신호화2.44 GHz사빈신호수입하,실험결과표명해혼빈기가유효지실현혼빈차구유교호적성능지표:전압전환증익위12.4 dB,수입삼계절단점위-0.6 dBm,수입1dB압축점위-3.4 dBm,단변대조성계수위12 dB.
