CAJ | 학술논문

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜.分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数.并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌.结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230 nm/min甚至更高.对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86.分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响.
채용등리자체증강화학기상침적법(PECVD),재단정규츤저(100)상성공제비료불동생장공예조건하적담화규박막.분별채용XP-2태계의、타원편진의등수단측시료박막적후도、절사솔、생장속솔등삼수.병채용원자력현미경(AFM)연구료박막적표면형모.결과표명,온도화사빈공솔시영향박막생장속솔적주요인소,생장속솔변화폭도가이체도230 nm/min심지경고.대우박막절사솔화성분영향최대적시NH3류량,절사솔변화범위가이체도2.7～1.86.분석득출수공예삼수조공적박막생장속솔대박막적성질유중요영향.