真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
6期
685-689
,共5页
氟化非晶碳膜%拉曼光谱%溅射功率%退火
氟化非晶碳膜%拉曼光譜%濺射功率%退火
불화비정탄막%랍만광보%천사공솔%퇴화
利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理.采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和原子力显微镜对样品的结构进行了表征.通过谱线Lorentzian分峰拟合方法,分析比较了不同功率下制备的氟化非晶碳膜sp杂化结构,得到了薄膜生长过程功率控制与结构的关系,功率增大、退火温度升高,膜内sp2相对含量增加.退火温度达到350 ℃时,薄膜中石墨结构明显增加.
利用反應射頻磁控濺射法,以單晶Si片為襯底,在不同功率下製備瞭氟化非晶碳膜樣品,併進行瞭不同溫度的退火處理.採用拉曼光譜、傅裏葉變換紅外光譜和原子力顯微鏡對樣品的結構進行瞭錶徵.通過譜線Lorentzian分峰擬閤方法,分析比較瞭不同功率下製備的氟化非晶碳膜sp雜化結構,得到瞭薄膜生長過程功率控製與結構的關繫,功率增大、退火溫度升高,膜內sp2相對含量增加.退火溫度達到350 ℃時,薄膜中石墨結構明顯增加.
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