半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
359-362
,共4页
田爱华%潘宏菽%赵彤%王于辉%陈昊
田愛華%潘宏菽%趙彤%王于輝%陳昊
전애화%반굉숙%조동%왕우휘%진호
4H-SiC%双极晶体管%刻蚀%击穿电压%氧化
4H-SiC%雙極晶體管%刻蝕%擊穿電壓%氧化
4H-SiC%쌍겁정체관%각식%격천전압%양화
采用国产的4H-SiC外延材料和自行开发的SiC双极晶体管的工艺技术,实现了4H-SiC npn双极晶体管特性.为避免二次外延或高温离子p+注入等操作,外延形成n+/p+/p/n -结构材料,然后根据版图设计进行相应的刻蚀,形成双台面结构.为保证p型基区能实现良好的欧姆接触,外延时在n+层和p层中间插入适当高掺杂的p+层外延,但也使双极晶体管发射效率降低,电流放大系数降低.为提高器件的击穿电压,在尽量实现低损伤刻蚀时,采用牺牲氧化等技术减少表面损伤及粗糙度,避免表面态及尖端电场集中,并利用SiC能形成稳定氧化层的优势来形成钝化保护.器件的集电结反向击穿电压达200 V,集电结在100 V下的反向截止漏电流小于0.05 mA,共发射极电流放大系数约为3.
採用國產的4H-SiC外延材料和自行開髮的SiC雙極晶體管的工藝技術,實現瞭4H-SiC npn雙極晶體管特性.為避免二次外延或高溫離子p+註入等操作,外延形成n+/p+/p/n -結構材料,然後根據版圖設計進行相應的刻蝕,形成雙檯麵結構.為保證p型基區能實現良好的歐姆接觸,外延時在n+層和p層中間插入適噹高摻雜的p+層外延,但也使雙極晶體管髮射效率降低,電流放大繫數降低.為提高器件的擊穿電壓,在儘量實現低損傷刻蝕時,採用犧牲氧化等技術減少錶麵損傷及粗糙度,避免錶麵態及尖耑電場集中,併利用SiC能形成穩定氧化層的優勢來形成鈍化保護.器件的集電結反嚮擊穿電壓達200 V,集電結在100 V下的反嚮截止漏電流小于0.05 mA,共髮射極電流放大繫數約為3.
채용국산적4H-SiC외연재료화자행개발적SiC쌍겁정체관적공예기술,실현료4H-SiC npn쌍겁정체관특성.위피면이차외연혹고온리자p+주입등조작,외연형성n+/p+/p/n -결구재료,연후근거판도설계진행상응적각식,형성쌍태면결구.위보증p형기구능실현량호적구모접촉,외연시재n+층화p층중간삽입괄당고참잡적p+층외연,단야사쌍겁정체관발사효솔강저,전류방대계수강저.위제고기건적격천전압,재진량실현저손상각식시,채용희생양화등기술감소표면손상급조조도,피면표면태급첨단전장집중,병이용SiC능형성은정양화층적우세래형성둔화보호.기건적집전결반향격천전압체200 V,집전결재100 V하적반향절지루전류소우0.05 mA,공발사겁전류방대계수약위3.
