CAJ | 학술논문

万方数据

高技术通讯 고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2001年 4期 94-95,98 ,共3页

陈克林%王国鹏%俞慧强%顾书林%沈波%施毅%王慧田%郑有%张荣

진극림%왕국붕%유혜강%고서림%침파%시의%왕혜전%정유%장영

氢化物气相外延(HVPE)%光助电化学(PEC)腐蚀%位错中止腐蚀氫化物氣相外延(HVPE)%光助電化學(PEC)腐蝕%位錯中止腐蝕
경화물기상외연(HVPE)%광조전화학(PEC)부식%위착중지부식

对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。
대용경화물기상외연（HVPE）방법생장적n형GaN진행광조전화학（PEC）부식연구，발현료위착중지부식적직접증거，병대기궤리작료탐토。
Photoelectrochemical (PEC) etching of Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) grown n-type GaN has been investigated. Direct evidence of etch-stop effect of dislocations has been found and discussedi.