太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2005年
2期
187-191
,共5页
胡志华%廖显伯%刁宏伟%曾湘波%徐艳月%孔光临
鬍誌華%廖顯伯%刁宏偉%曾湘波%徐豔月%孔光臨
호지화%료현백%조굉위%증상파%서염월%공광림
纳米非晶硅%pin薄膜太阳电池%开路电压%PECVD
納米非晶硅%pin薄膜太暘電池%開路電壓%PECVD
납미비정규%pin박막태양전지%개로전압%PECVD
该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
該文報道瞭通過適噹氫稀釋(RH=15)和閤適的襯底溫度(Ts=170℃)下,用PECVD製備得到的寬帶隙氫化納米非晶硅(na-Si:H)薄膜,併將其用作pin太暘電池的本徵層.經過電池結構和工藝條件的優化設計,在p/i,i/n界麵插入漸變帶隙緩遲層,製備齣瞭glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al結構的pin太暘電池.電池初始開路電壓(Voc)高達0.94V,同時還能保證0.72的填充因子(FF).光電轉換效率(Eff)達到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
해문보도료통과괄당경희석(RH=15)화합괄적츤저온도(Ts=170℃)하,용PECVD제비득도적관대극경화납미비정규(na-Si:H)박막,병장기용작pin태양전지적본정층.경과전지결구화공예조건적우화설계,재p/i,i/n계면삽입점변대극완충층,제비출료glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al결구적pin태양전지.전지초시개로전압(Voc)고체0.94V,동시환능보증0.72적전충인자(FF).광전전환효솔(Eff)체도8.35%(AM1.5,100mW/cm2).
