化学通报（印刷版）
化學通報（印刷版）
화학통보（인쇄판）
CHEMISTRY
2006年
5期
393-398
,共6页
刘芬%邱丽美%赵良仲%王海%阚莹%宋小平
劉芬%邱麗美%趙良仲%王海%闞瑩%宋小平
류분%구려미%조량중%왕해%감형%송소평
栅极氧化物%氧化硅%厚度测量%衰减长度%X射线光电子能谱
柵極氧化物%氧化硅%厚度測量%衰減長度%X射線光電子能譜
책겁양화물%양화규%후도측량%쇠감장도%X사선광전자능보
简单介绍了硅片表面超薄(0.3～8nm)氧化硅厚度的XPS测量方法.方法根据XPS测得的元素硅和氧化硅的Si2p谱线强度,使用较简单的厚度分析公式计算.本文还介绍了厚度分析公式中两个关键参数(光电子衰减长度LSiO2和氧化硅/纯硅体材料的Si2p电子强度比R0)的理论计算和实验测量方法.此外,文中还介绍了用XPS测量厚度的实验步骤,包括样品方位角和光电子发射角的选择以及XPS数据处理方法.使用上述XPS测量方法,目前对于超薄SiO2的厚度测量不确定度已可达到1%.
簡單介紹瞭硅片錶麵超薄(0.3～8nm)氧化硅厚度的XPS測量方法.方法根據XPS測得的元素硅和氧化硅的Si2p譜線彊度,使用較簡單的厚度分析公式計算.本文還介紹瞭厚度分析公式中兩箇關鍵參數(光電子衰減長度LSiO2和氧化硅/純硅體材料的Si2p電子彊度比R0)的理論計算和實驗測量方法.此外,文中還介紹瞭用XPS測量厚度的實驗步驟,包括樣品方位角和光電子髮射角的選擇以及XPS數據處理方法.使用上述XPS測量方法,目前對于超薄SiO2的厚度測量不確定度已可達到1%.
간단개소료규편표면초박(0.3～8nm)양화규후도적XPS측량방법.방법근거XPS측득적원소규화양화규적Si2p보선강도,사용교간단적후도분석공식계산.본문환개소료후도분석공식중량개관건삼수(광전자쇠감장도LSiO2화양화규/순규체재료적Si2p전자강도비R0)적이론계산화실험측량방법.차외,문중환개소료용XPS측량후도적실험보취,포괄양품방위각화광전자발사각적선택이급XPS수거처리방법.사용상술XPS측량방법,목전대우초박SiO2적후도측량불학정도이가체도1%.
