微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
588-590
,共3页
鲁亚诗%张伟%李高庆%刘道广%李希有%鲁勇%刘爱华%张翔
魯亞詩%張偉%李高慶%劉道廣%李希有%魯勇%劉愛華%張翔
로아시%장위%리고경%류도엄%리희유%로용%류애화%장상
SiGe HBT%达林顿结构%微波单片集成电路%硅化物
SiGe HBT%達林頓結構%微波單片集成電路%硅化物
SiGe HBT%체림돈결구%미파단편집성전로%규화물
介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC).该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延.在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0.
介紹瞭一種利用SiGe技術製作的低譟聲SiGe微波單片放大電路(MMIC).該電路以達林頓結構的形式級聯,由兩箇異質結雙極型晶體管(HBT)和4箇電阻組成;HBT採用準自對準結構,其SiGe基區為非選擇性外延.在1 GHz頻率下,電路譟聲為1.59 dB,功率增益為14.3 dB,輸入駐波比為1.6,輸齣駐波比為2.0.
개소료일충이용SiGe기술제작적저조성SiGe미파단편방대전로(MMIC).해전로이체림돈결구적형식급련,유량개이질결쌍겁형정체관(HBT)화4개전조조성;HBT채용준자대준결구,기SiGe기구위비선택성외연.재1 GHz빈솔하,전로조성위1.59 dB,공솔증익위14.3 dB,수입주파비위1.6,수출주파비위2.0.
