光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2008年
7期
1569-1572
,共4页
刘海波%贾刚%陈岗%孟庆巨%张铁臣
劉海波%賈剛%陳崗%孟慶巨%張鐵臣
류해파%가강%진강%맹경거%장철신
立方氮化硼单晶%紫外吸收%带隙
立方氮化硼單晶%紫外吸收%帶隙
립방담화붕단정%자외흡수%대극
对于在高温、高压下合成的人工立方氮化硼(cBN)片状单晶进行了紫外吸收光谱和第一性原理的能带结构研究.实验中采用了UV WINLAB光谱分析仪,数据分析由MOLECULAR SPECTROSCOPY软件进行拟合运算,通过特殊的石英夹具对样品的测试表明cBN的紫外吸收波长限为198 nm,带隙为6.26eV.结合第一性原理计算的cBN的能带结构和电子态密度的计算,可以证实导致紫外光吸收的过程是价带电子吸收光子到导带的间接跃迁.文章实验结果与目前报道的cBN能带结构中禁带宽度的吻合较好,表明cBN具有良好的紫外特性,是一种具有发展前景的紫外光电和高温半导体器件材料.
對于在高溫、高壓下閤成的人工立方氮化硼(cBN)片狀單晶進行瞭紫外吸收光譜和第一性原理的能帶結構研究.實驗中採用瞭UV WINLAB光譜分析儀,數據分析由MOLECULAR SPECTROSCOPY軟件進行擬閤運算,通過特殊的石英夾具對樣品的測試錶明cBN的紫外吸收波長限為198 nm,帶隙為6.26eV.結閤第一性原理計算的cBN的能帶結構和電子態密度的計算,可以證實導緻紫外光吸收的過程是價帶電子吸收光子到導帶的間接躍遷.文章實驗結果與目前報道的cBN能帶結構中禁帶寬度的吻閤較好,錶明cBN具有良好的紫外特性,是一種具有髮展前景的紫外光電和高溫半導體器件材料.
대우재고온、고압하합성적인공립방담화붕(cBN)편상단정진행료자외흡수광보화제일성원리적능대결구연구.실험중채용료UV WINLAB광보분석의,수거분석유MOLECULAR SPECTROSCOPY연건진행의합운산,통과특수적석영협구대양품적측시표명cBN적자외흡수파장한위198 nm,대극위6.26eV.결합제일성원리계산적cBN적능대결구화전자태밀도적계산,가이증실도치자외광흡수적과정시개대전자흡수광자도도대적간접약천.문장실험결과여목전보도적cBN능대결구중금대관도적문합교호,표명cBN구유량호적자외특성,시일충구유발전전경적자외광전화고온반도체기건재료.
