微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
12期
703-705,711
,共4页
尹甲运%刘波%张森%冯志宏%冯震%蔡树军
尹甲運%劉波%張森%馮誌宏%馮震%蔡樹軍
윤갑운%류파%장삼%풍지굉%풍진%채수군
氮化镓%AlN插入层%喇曼散射%光荧光谱%应力%Si衬底
氮化鎵%AlN插入層%喇曼散射%光熒光譜%應力%Si襯底
담화가%AlN삽입층%나만산사%광형광보%응력%Si츤저
对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究.通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568 cm1-),计算得出GaN材料的应力从1.09 GPa减小到0.42 GPa.同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证.结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料.
對Si(111)襯底上GaN外延材料的應力隨著低溫AlN插入層數的變化進行瞭分析研究.通過喇曼散射譜在高頻E2(TO)模式下的測試分析髮現,隨著低溫AlN插入層數的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐漸接近體GaN材料的E2(TO)峰位(無應力體GaN材料的E2(TO)峰位為568 cm1-),計算得齣GaN材料的應力從1.09 GPa減小到0.42 GPa.同時,使用室溫光熒光譜進行瞭分析驗證.結果錶明,Si襯底上GaN外延材料受到的是張應力,通過低溫AlN插入層技術可以有效降低GaN材料的應力,併且最終實現瞭錶麵光亮的厚層無裂紋GaN材料.
대Si(111)츤저상GaN외연재료적응력수착저온AlN삽입층수적변화진행료분석연구.통과나만산사보재고빈E2(TO)모식하적측시분석발현,수착저온AlN삽입층수적증가,GaN재료적E2(TO)봉위축점접근체GaN재료적E2(TO)봉위(무응력체GaN재료적E2(TO)봉위위568 cm1-),계산득출GaN재료적응력종1.09 GPa감소도0.42 GPa.동시,사용실온광형광보진행료분석험증.결과표명,Si츤저상GaN외연재료수도적시장응력,통과저온AlN삽입층기술가이유효강저GaN재료적응력,병차최종실현료표면광량적후층무렬문GaN재료.
