人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
852-856
,共5页
张学宇%吴爱民%冯煜东%胡娟%岳红云%闻立时
張學宇%吳愛民%馮煜東%鬍娟%嶽紅雲%聞立時
장학우%오애민%풍욱동%호연%악홍운%문립시
ECR-PECVD%磷掺杂%微晶硅薄膜%霍尔测量
ECR-PECVD%燐摻雜%微晶硅薄膜%霍爾測量
ECR-PECVD%린참잡%미정규박막%곽이측량
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.
用電子迴鏇共振等離子體增彊化學氣相沉積(ECR-PECVD)的方法製備瞭燐摻雜微晶硅薄膜材料.通過Hall,Raman光譜和XRD的測試分析,研究瞭襯底溫度和燐烷流量對摻雜薄膜組織結構和電學性能的影響.根據AFM照片分析瞭薄膜的錶麵形貌,進而推測瞭薄膜的內部組成.實驗髮現:襯底溫度在250 ℃時,燐烷的加入會大大降低薄膜的晶化率.襯底溫度提高到350 ℃後這種影響明顯下降.薄膜的載流子濃度和電導率受薄膜晶化率影響明顯,襯底溫度的升高對薄膜電學性能提高有較大幫助.
용전자회선공진등리자체증강화학기상침적(ECR-PECVD)적방법제비료린참잡미정규박막재료.통과Hall,Raman광보화XRD적측시분석,연구료츤저온도화린완류량대참잡박막조직결구화전학성능적영향.근거AFM조편분석료박막적표면형모,진이추측료박막적내부조성.실험발현:츤저온도재250 ℃시,린완적가입회대대강저박막적정화솔.츤저온도제고도350 ℃후저충영향명현하강.박막적재류자농도화전도솔수박막정화솔영향명현,츤저온도적승고대박막전학성능제고유교대방조.
