电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
4期
370-373
,共4页
陈海力%沈鸿烈%张磊%杨超%刘斌
陳海力%瀋鴻烈%張磊%楊超%劉斌
진해력%침홍렬%장뢰%양초%류빈
铝膜沉积温度%铝诱导晶化%多晶硅薄膜%磁控溅射
鋁膜沉積溫度%鋁誘導晶化%多晶硅薄膜%磁控濺射
려막침적온도%려유도정화%다정규박막%자공천사
以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射 法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜.用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析.结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高 而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象.
以超白玻璃為襯底,採用熱絲化學氣相沉積法沉積初始非晶硅膜,經自然氧化形成二氧化硅層,最後利用磁控濺射 法在不同襯底溫度下沉積鋁膜,製備瞭glass/Si/SiO/Al疊層結構併對其進行鋁誘導晶化形成多晶硅薄膜.用X射線衍射,光學顯微鏡和拉曼光譜對樣品進行瞭分析.結果錶明,鋁誘導晶化製備的多晶硅薄膜的晶粒大小隨著鋁膜沉積溫度的升高 而變小,且晶化能力及結晶質量也逐漸變差,噹鋁膜沉積溫度升高至200℃以上時甚至不髮生鋁誘導晶化現象.
이초백파리위츤저,채용열사화학기상침적법침적초시비정규막,경자연양화형성이양화규층,최후이용자공천사 법재불동츤저온도하침적려막,제비료glass/Si/SiO/Al첩층결구병대기진행려유도정화형성다정규박막.용X사선연사,광학현미경화랍만광보대양품진행료분석.결과표명,려유도정화제비적다정규박막적정립대소수착려막침적온도적승고 이변소,차정화능력급결정질량야축점변차,당려막침적온도승고지200℃이상시심지불발생려유도정화현상.
