固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
1期
60-63
,共4页
邵传芬%史常忻%凌行%温伯莹
邵傳芬%史常忻%凌行%溫伯瑩
소전분%사상흔%릉행%온백형
微条%砷化镓%探测器
微條%砷化鎵%探測器
미조%신화가%탐측기
介绍了最新研制成功的GaAs微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计.每一微条长度均为1 7 000μm,宽度分别为20、50、100、200和300 μm.微条间距有50、100、200和300 μm四种,芯片面积为5.95 mm×17.00 mm.微条粒子探测器的反向击穿电压最高达240 V,反向漏电流密度最低为0.025μA/mm2.它对光照有强烈的敏感性.微条粒子探测器的辐照特性见其它论文报道.
介紹瞭最新研製成功的GaAs微條粒子探測器的芯片設計和工藝設計.每一微條長度均為1 7 000μm,寬度分彆為20、50、100、200和300 μm.微條間距有50、100、200和300 μm四種,芯片麵積為5.95 mm×17.00 mm.微條粒子探測器的反嚮擊穿電壓最高達240 V,反嚮漏電流密度最低為0.025μA/mm2.它對光照有彊烈的敏感性.微條粒子探測器的輻照特性見其它論文報道.
개소료최신연제성공적GaAs미조입자탐측기적심편설계화공예설계.매일미조장도균위1 7 000μm,관도분별위20、50、100、200화300 μm.미조간거유50、100、200화300 μm사충,심편면적위5.95 mm×17.00 mm.미조입자탐측기적반향격천전압최고체240 V,반향루전류밀도최저위0.025μA/mm2.타대광조유강렬적민감성.미조입자탐측기적복조특성견기타논문보도.
