半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
2期
127-130
,共4页
薛原%徐赛生%董琳%丁士进%张卫
薛原%徐賽生%董琳%丁士進%張衛
설원%서새생%동림%정사진%장위
氧化铪%介质材料%原子层淀积
氧化鉿%介質材料%原子層澱積
양화협%개질재료%원자층정적
氧化铪(Hf02)介质材料是目前用来取代Si02的最有前途材料之一.介绍了Hf02的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点.比较了Hf02介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了Hf02介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备Hf02介质材料的最好方法之一.
氧化鉿(Hf02)介質材料是目前用來取代Si02的最有前途材料之一.介紹瞭Hf02的製備方法,對幾種製備方法進行瞭比較,併分析瞭各種製備方法的優缺點.比較瞭Hf02介質材料的電學性能、熱穩定性能及可靠性能,綜述瞭Hf02介質材料的前景,指齣原子層澱積(ALD)是製備Hf02介質材料的最好方法之一.
양화협(Hf02)개질재료시목전용래취대Si02적최유전도재료지일.개소료Hf02적제비방법,대궤충제비방법진행료비교,병분석료각충제비방법적우결점.비교료Hf02개질재료적전학성능、열은정성능급가고성능,종술료Hf02개질재료적전경,지출원자층정적(ALD)시제비Hf02개질재료적최호방법지일.
