唐山师范学院学报
唐山師範學院學報
당산사범학원학보
JOURNAL OF TANGSHAN TEACHERS COLLEGE
2009年
5期
45-46
,共2页
白晨皓%杨瑞霞%张强%贾月辉
白晨皓%楊瑞霞%張彊%賈月輝
백신호%양서하%장강%가월휘
分子束外延%衬底温度%生长速率
分子束外延%襯底溫度%生長速率
분자속외연%츤저온도%생장속솔
采用分子束外延生长技术,在GaAs衬底上制备InGaAs外延材料.实验结果表明,衬底温度直接决定了InGaAs材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移,影响了InGaAs外延材料的生长模式;生长速率影响着InGaAs外延层的质量.实验结果表明,通过调整衬底温度和生长速率,在衬底温度为500℃,生长速率为1200nm/h时,制备出的样品结晶质量和表面形貌最好.
採用分子束外延生長技術,在GaAs襯底上製備InGaAs外延材料.實驗結果錶明,襯底溫度直接決定瞭InGaAs材料製備過程中In原子在界麵間的滲析和In原子在外延層錶麵遷移,影響瞭InGaAs外延材料的生長模式;生長速率影響著InGaAs外延層的質量.實驗結果錶明,通過調整襯底溫度和生長速率,在襯底溫度為500℃,生長速率為1200nm/h時,製備齣的樣品結晶質量和錶麵形貌最好.
채용분자속외연생장기술,재GaAs츤저상제비InGaAs외연재료.실험결과표명,츤저온도직접결정료InGaAs재료제비과정중In원자재계면간적삼석화In원자재외연층표면천이,영향료InGaAs외연재료적생장모식;생장속솔영향착InGaAs외연층적질량.실험결과표명,통과조정츤저온도화생장속솔,재츤저온도위500℃,생장속솔위1200nm/h시,제비출적양품결정질량화표면형모최호.
