微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
3期
457-460
,共4页
唐昭焕%刘勇%胡永贵%羊庆玲%杨永晖%谭开洲
唐昭煥%劉勇%鬍永貴%羊慶玲%楊永暉%譚開洲
당소환%류용%호영귀%양경령%양영휘%담개주
VDMOS%寄生电容%关断时间%栅氧%多晶线宽
VDMOS%寄生電容%關斷時間%柵氧%多晶線寬
VDMOS%기생전용%관단시간%책양%다정선관
从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9 ns和多晶线宽每变化0.2 μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好.将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VDMOS芯片制造要求.
從結構上對一種N溝道VDMOS器件的寄生電容進行研究,確定瞭柵氧化層厚度和多晶線寬是影響VDMOS器件寄生電容的主要因素;使用TCAD工具,對柵氧化層厚度和多晶線寬的變化對各箇寄生電容的影響進行半定量分析,得到柵氧化層厚度每變化1 nm,關斷時間變化4.9 ns和多晶線寬每變化0.2 μm,關斷時間變化2.7 ns的結論,與實際測試結果吻閤較好.將該結論用于100 V/N溝道VDMOS器件關斷時間的精確控製,關斷時間控製精度達到±10 ns,滿足VDMOS芯片製造要求.
종결구상대일충N구도VDMOS기건적기생전용진행연구,학정료책양화층후도화다정선관시영향VDMOS기건기생전용적주요인소;사용TCAD공구,대책양화층후도화다정선관적변화대각개기생전용적영향진행반정량분석,득도책양화층후도매변화1 nm,관단시간변화4.9 ns화다정선관매변화0.2 μm,관단시간변화2.7 ns적결론,여실제측시결과문합교호.장해결론용우100 V/N구도VDMOS기건관단시간적정학공제,관단시간공제정도체도±10 ns,만족VDMOS심편제조요구.
