CAJ | 학술논문

开展了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质.以水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,以CuCl、BiCl3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的多晶.采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度变化的关系,结果表明: CuBi3Se5呈金属性质,而CuBi3S5呈半导体性质.根据Arrhenius关系式计算出CuBi3S5室温下的热激活能为17.1 meV.在室温下对CuBi3S5多晶块体进行了霍尔效应实验,结果表明:其载流子浓度为3.75×1017 cm-3,霍尔迁移率为14 cm2V-1s-1,CuBi3S5为n型半导体.漫反射光谱的实验结果表明CuBi3S5的禁带宽度约为0.66 eV.
개전료CuBi3S5화CuBi3Se5량충화합물적합성연구,병수차보도료저량충화합물적기본광전성질.이수합정(N2H4·H2O)위환원제,이CuCl、BiCl3화S(혹Se)위원료,통과용제열여고상반응상결합적방법성공제비료CuBi3S5화CuBi3Se5량충화합물적다정.채용사점탐침법획득료저량충화합물적전조수온도변화적관계,결과표명: CuBi3Se5정금속성질,이CuBi3S5정반도체성질.근거Arrhenius관계식계산출CuBi3S5실온하적열격활능위17.1 meV.재실온하대CuBi3S5다정괴체진행료곽이효응실험,결과표명:기재류자농도위3.75×1017 cm-3,곽이천이솔위14 cm2V-1s-1,CuBi3S5위n형반도체.만반사광보적실험결과표명CuBi3S5적금대관도약위0.66 eV.