GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析
GaN전감우합등리자체각식적우화화손상분석
Etching Damage Analysis and Optimization of Inductively Coupled Plasma Etching of GaN
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2012年 3期 181-186 ,共6页

    滕龙%于治国%杨濛%张荣%谢自力%刘斌%陈鹏%韩平%郑有炓%施毅

    등룡%우치국%양몽%장영%사자력%류빈%진붕%한평%정유료%시의

    氮化镓(GaN)%电感耦合等离子体(ICP)刻蚀%损伤%功率%DC偏压 氮化鎵(GaN)%電感耦閤等離子體(ICP)刻蝕%損傷%功率%DC偏壓
    담화가(GaN)%전감우합등리자체(ICP)각식%손상%공솔%DC편압
    通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究.刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析.实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加；刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂.实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比.为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(＞450 W)和低DC偏压(＜300 V)进行ICP刻蚀.
    통과분별개변전감우합등리자체(ICP)각식과정중적ICP공솔화DC편압,대ICP각식GaN재료적공예조건화손상정황진행료계통적연구.각식후표면적손상화형모통과소묘전자현미경(SEM)、원자력현미경(AFM)、전자능보(EDS)、형광광보(PL)등기술진행표정화분석.실험결과표명,각식속솔수ICP공솔화DC편압적증가이증가；각식손상여DC편압성정비,이여ICP공솔적관계교위복잡.실험중관측도각식후GaN양품적형광광보대변발사봉화황대발사봉적강도균유명현하강,저의미착각식산생적결함중존재비복사복합중심,병차해비복사복합중심적밀도여DC편압성정비.위료겸고고각식속솔화저각식손상,건의사용고ICP공솔(＞450 W)화저DC편압(＜300 V)진행ICP각식.
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