华南理工大学学报（自然科学版）
華南理工大學學報（自然科學版）
화남리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2007年
4期
72-76
,共5页
胡芸菲%沈辉%柳锡运%郭志球%刘正义
鬍蕓菲%瀋輝%柳錫運%郭誌毬%劉正義
호예비%침휘%류석운%곽지구%류정의
多晶硅%薄膜%沉积温度%晶体生长%晶体取向%太阳电池
多晶硅%薄膜%沉積溫度%晶體生長%晶體取嚮%太暘電池
다정규%박막%침적온도%정체생장%정체취향%태양전지
多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.
多晶硅薄膜太暘電池是21世紀最具髮展潛力的薄膜太暘電池.如何快速、大麵積、高質量地沉積多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太暘電池研究中的一箇覈心問題.文中以SiHCl3為硅源、B2H6為摻雜氣,採用先進的快熱化學氣相沉積法(RTCVD)製備瞭大晶粒的多晶硅薄膜.所製備的薄膜厚度為30～40μm,沉積速率達3～7μm/min.文中還分析瞭沉積溫度對多晶硅薄膜生長速率及晶體微觀結構的影響.結果錶明:噹沉積溫度在900～1170℃時,平均生長速率隨溫度近似單調遞增,此時薄膜生長由錶麵反應階段控製;隨著溫度的升高,薄膜平均晶粒呎吋也由900℃時的不足3μm增長到1170℃時的超過30μm;溫度較低時,薄膜易嚮[220]方嚮生長;溫度達到1170℃時,多晶硅薄膜有嚮[111]方嚮生長的趨勢.
다정규박막태양전지시21세기최구발전잠력적박막태양전지.여하쾌속、대면적、고질량지침적다정규박막일직시다정규박막태양전지연구중적일개핵심문제.문중이SiHCl3위규원、B2H6위참잡기,채용선진적쾌열화학기상침적법(RTCVD)제비료대정립적다정규박막.소제비적박막후도위30～40μm,침적속솔체3～7μm/min.문중환분석료침적온도대다정규박막생장속솔급정체미관결구적영향.결과표명:당침적온도재900～1170℃시,평균생장속솔수온도근사단조체증,차시박막생장유표면반응계단공제;수착온도적승고,박막평균정립척촌야유900℃시적불족3μm증장도1170℃시적초과30μm;온도교저시,박막역향[220]방향생장;온도체도1170℃시,다정규박막유향[111]방향생장적추세.
