固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
3期
295-300
,共6页
宋云%陆海纬%陈忠浩%张兆强%郑国祥%李越生%曾韡
宋雲%陸海緯%陳忠浩%張兆彊%鄭國祥%李越生%曾韡
송운%륙해위%진충호%장조강%정국상%리월생%증위
聚焦离子束%电离辐射%金属氧化物半导体晶体管%阈值电压
聚焦離子束%電離輻射%金屬氧化物半導體晶體管%閾值電壓
취초리자속%전리복사%금속양화물반도체정체관%역치전압
聚焦离子束(Focused ion beam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注.研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20 μm×20μm和20 μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后的阈值电压都发生了明显的漂移,辐照后的晶体管阈值电压在室温环境下静置数日后有约30%的恢复,而在退火条件下阈值电压几乎完全恢复.文中从理论上对电离辐射引起阈值电压的漂移予以解释,使实际的电路修补工作最优化,从而确保器件在修补后的可靠性.
聚焦離子束(Focused ion beam)繫統現在被廣汎應用于大規模集成電路的脩補中,FIB輻照對器件性能的影響受到廣汎的關註.研究瞭兩種柵呎吋的NMOS晶體管(20 μm×20μm和20 μm×0.8μm)在不同輻射劑量作用下的閾值電壓變化情況,髮現在輻射後的閾值電壓都髮生瞭明顯的漂移,輻照後的晶體管閾值電壓在室溫環境下靜置數日後有約30%的恢複,而在退火條件下閾值電壓幾乎完全恢複.文中從理論上對電離輻射引起閾值電壓的漂移予以解釋,使實際的電路脩補工作最優化,從而確保器件在脩補後的可靠性.
취초리자속(Focused ion beam)계통현재피엄범응용우대규모집성전로적수보중,FIB복조대기건성능적영향수도엄범적관주.연구료량충책척촌적NMOS정체관(20 μm×20μm화20 μm×0.8μm)재불동복사제량작용하적역치전압변화정황,발현재복사후적역치전압도발생료명현적표이,복조후적정체관역치전압재실온배경하정치수일후유약30%적회복,이재퇴화조건하역치전압궤호완전회복.문중종이론상대전리복사인기역치전압적표이여이해석,사실제적전로수보공작최우화,종이학보기건재수보후적가고성.
