功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2009年
2期
322-324,327
,共4页
安博%王六定%陈国栋%曹得财%丁富才%梁锦奎
安博%王六定%陳國棟%曹得財%丁富纔%樑錦奎
안박%왕륙정%진국동%조득재%정부재%량금규
碳纳米管%掺杂%第一性原理%电子场发射
碳納米管%摻雜%第一性原理%電子場髮射
탄납미관%참잡%제일성원리%전자장발사
基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响.结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低.由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强.
基于密度汎函理論(DFT)的DMol3軟件包,研究瞭(9,0)型碳納米管(CNT)頂耑摻雜B/N/Si等元素對其幾何結構及電子結構的影響.結果錶明,摻雜原子對非摻雜區幾何結構影響微弱;加電場後,各種摻雜CNT頂耑跼域態密度(LDOS)峰位嚮價帶移動;B/N/Si摻雜不僅引起CNT費米能級(Ef)處LDOS增大,而且最低空軌道與最高佔有軌道的差值(LUMO-HOMO)降低.由此可預期CNT頂耑摻B/N/Si均有利于場緻電子髮射,且改善幅度依次增彊.
기우밀도범함이론(DFT)적DMol3연건포,연구료(9,0)형탄납미관(CNT)정단참잡B/N/Si등원소대기궤하결구급전자결구적영향.결과표명,참잡원자대비참잡구궤하결구영향미약;가전장후,각충참잡CNT정단국역태밀도(LDOS)봉위향개대이동;B/N/Si참잡불부인기CNT비미능급(Ef)처LDOS증대,이차최저공궤도여최고점유궤도적차치(LUMO-HOMO)강저.유차가예기CNT정단참B/N/Si균유리우장치전자발사,차개선폭도의차증강.
