红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2011年
8期
1403-1406
,共4页
徐应强%汤宝%王国伟%任正伟%牛智川
徐應彊%湯寶%王國偉%任正偉%牛智川
서응강%탕보%왕국위%임정위%우지천
InAs/GaSb超晶格%红外探测器%分子束外延
InAs/GaSb超晶格%紅外探測器%分子束外延
InAs/GaSb초정격%홍외탐측기%분자속외연
采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量Ⅱ型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2～5 μm红外波段.采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量.该材料用于制造2～5 μm GaAs基与GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器.在77 K温度下,2μm波段GaAs基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为4×109 cm·Hz1/2/W,5μm波段GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为1.6×1010 cm· Hz1/2/W.
採用分子束外延方法在GaSb和GaAs襯底上生長瞭不同週期厚度的InAs/GaSb高質量Ⅱ型能帶結構超晶格紅外探測器,其探測波長覆蓋2～5 μm紅外波段.採用高分辨透射電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X射線衍射測試、室溫與低溫光電流響應譜及室溫與低溫光熒光譜等多種測試手段檢驗瞭分子束外延生長在不同襯底上的超晶格材料質量與光學質量.該材料用于製造2～5 μm GaAs基與GaSb基InAs/GaSb超晶格紅外探測器.在77 K溫度下,2μm波段GaAs基InAs/GaSb超晶格紅外探測器探測率為4×109 cm·Hz1/2/W,5μm波段GaSb基InAs/GaSb超晶格紅外探測器探測率為1.6×1010 cm· Hz1/2/W.
채용분자속외연방법재GaSb화GaAs츤저상생장료불동주기후도적InAs/GaSb고질량Ⅱ형능대결구초정격홍외탐측기,기탐측파장복개2～5 μm홍외파단.채용고분변투사전자현미경、원자력현미경、X사선연사측시、실온여저온광전류향응보급실온여저온광형광보등다충측시수단검험료분자속외연생장재불동츤저상적초정격재료질량여광학질량.해재료용우제조2～5 μm GaAs기여GaSb기InAs/GaSb초정격홍외탐측기.재77 K온도하,2μm파단GaAs기InAs/GaSb초정격홍외탐측기탐측솔위4×109 cm·Hz1/2/W,5μm파단GaSb기InAs/GaSb초정격홍외탐측기탐측솔위1.6×1010 cm· Hz1/2/W.
