压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2005年
2期
209-212
,共4页
郑可炉%褚家如%鲁健%李恒
鄭可爐%褚傢如%魯健%李恆
정가로%저가여%로건%리항
锆钛酸铅%PZT薄膜%湿法刻蚀%微图形化
鋯鈦痠鉛%PZT薄膜%濕法刻蝕%微圖形化
고태산연%PZT박막%습법각식%미도형화
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法.在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1:2:4:4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s.实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5:1),侧面倾角约60°.刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化.
介紹瞭一種刻蝕效果良好的PZT薄膜的濕法刻蝕方法.在分析瞭刻蝕液成分對刻蝕效果影響的基礎上,選擇體積比為1:2:4:4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作為刻蝕液,刻蝕速率為0.016μm/s.實驗錶明,刻蝕得到的PZT薄膜圖形錶麵無殘留物,側蝕比小(1.5:1),側麵傾角約60°.刻蝕液對光刻膠和PZT薄膜底電極Pt的選擇性好,該工藝適用于MEMS領域中PZT薄膜的微圖形化.
개소료일충각식효과량호적PZT박막적습법각식방법.재분석료각식액성분대각식효과영향적기출상,선택체적비위1:2:4:4적BHF/HCl/NH4Cl/H2O용액작위각식액,각식속솔위0.016μm/s.실험표명,각식득도적PZT박막도형표면무잔류물,측식비소(1.5:1),측면경각약60°.각식액대광각효화PZT박막저전겁Pt적선택성호,해공예괄용우MEMS영역중PZT박막적미도형화.
