国防科技大学学报
國防科技大學學報
국방과기대학학보
JOURNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY
2005年
5期
107-112
,共6页
邹世钦%张长瑞%周新贵%曹英斌
鄒世欽%張長瑞%週新貴%曹英斌
추세흠%장장서%주신귀%조영빈
C/SiC复合材料%先驱体浸渍裂解%氧化保护涂层%氧化行为
C/SiC複閤材料%先驅體浸漬裂解%氧化保護塗層%氧化行為
C/SiC복합재료%선구체침지렬해%양화보호도층%양화행위
PIP工艺制备的C/SiC复合材料中SiC基体富碳,因此增强体和基体均容易氧化.碳纤维和无涂层保护C/SiC复合材料试样在400～1300℃的氧化速率随温度升高而加快,低温为反应控制,高温为扩散控制.CVD-SiC涂层保护C/SiC复合材料和由CVD-SiC层、自愈合层、CVD-SiC层三层涂层保护C/SiC复合材料在400～1300℃的氧化先随温度升高而加快,然后减慢.三层涂层在800～1300℃有非常好的保护效果.扫描电镜照片显示自愈合层的玻璃态物质进入涂层裂纹中,填充裂纹且阻挡氧的通过,从而有良好的抗氧化保护效果.
PIP工藝製備的C/SiC複閤材料中SiC基體富碳,因此增彊體和基體均容易氧化.碳纖維和無塗層保護C/SiC複閤材料試樣在400～1300℃的氧化速率隨溫度升高而加快,低溫為反應控製,高溫為擴散控製.CVD-SiC塗層保護C/SiC複閤材料和由CVD-SiC層、自愈閤層、CVD-SiC層三層塗層保護C/SiC複閤材料在400～1300℃的氧化先隨溫度升高而加快,然後減慢.三層塗層在800～1300℃有非常好的保護效果.掃描電鏡照片顯示自愈閤層的玻璃態物質進入塗層裂紋中,填充裂紋且阻擋氧的通過,從而有良好的抗氧化保護效果.
PIP공예제비적C/SiC복합재료중SiC기체부탄,인차증강체화기체균용역양화.탄섬유화무도층보호C/SiC복합재료시양재400～1300℃적양화속솔수온도승고이가쾌,저온위반응공제,고온위확산공제.CVD-SiC도층보호C/SiC복합재료화유CVD-SiC층、자유합층、CVD-SiC층삼층도층보호C/SiC복합재료재400～1300℃적양화선수온도승고이가쾌,연후감만.삼층도층재800～1300℃유비상호적보호효과.소묘전경조편현시자유합층적파리태물질진입도층렬문중,전충렬문차조당양적통과,종이유량호적항양화보호효과.
