微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2007年
2期
28-33
,共6页
王应民%孙云%杜楠%蔡莉%李禾%程国安
王應民%孫雲%杜楠%蔡莉%李禾%程國安
왕응민%손운%두남%채리%리화%정국안
Si(111)%ZnO薄膜%等离子体增强化学气相沉积%X射线衍射仪%原子力显微镜
Si(111)%ZnO薄膜%等離子體增彊化學氣相沉積%X射線衍射儀%原子力顯微鏡
Si(111)%ZnO박막%등리자체증강화학기상침적%X사선연사의%원자력현미경
报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱.研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量.随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大.在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性.
報道瞭在等離子體作用下,以CO2/H2為氧源,Zn(C2H5)2為鋅源,N2為載氣,在Si(111)襯底上採用自行設計等離子體化學氣相沉積(PECVD)裝置來生長的ZnO薄膜.採用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和場髮射掃描電鏡分彆對不同襯底溫度生長的薄膜樣品進行瞭組成、錶麵和橫截麵的形貌錶徵,併且測試瞭薄膜的PL譜.研究結果錶明,襯底溫度直接影響薄膜的結晶質量.隨襯底溫度的升高,ZnO薄膜的結晶取嚮性開始增彊,晶粒呎吋增大.在襯底溫度約為450℃時,生長的ZnO薄膜有很彊的擇優取嚮性.
보도료재등리자체작용하,이CO2/H2위양원,Zn(C2H5)2위자원,N2위재기,재Si(111)츤저상채용자행설계등리자체화학기상침적(PECVD)장치래생장적ZnO박막.채용X사선연사의(XRD)、원자력현미경(AFM)화장발사소묘전경분별대불동츤저온도생장적박막양품진행료조성、표면화횡절면적형모표정,병차측시료박막적PL보.연구결과표명,츤저온도직접영향박막적결정질량.수츤저온도적승고,ZnO박막적결정취향성개시증강,정립척촌증대.재츤저온도약위450℃시,생장적ZnO박막유흔강적택우취향성.
