现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2007年
20期
29-32
,共4页
向李艳%邬齐荣%龚敏%陈畅
嚮李豔%鄔齊榮%龔敏%陳暢
향리염%오제영%공민%진창
片上静电保护%CMOS%SCR%ISE-TCAD
片上靜電保護%CMOS%SCR%ISE-TCAD
편상정전보호%CMOS%SCR%ISE-TCAD
传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的.
傳統的片上靜電放電(ESD)保護電路設計主要基于嘗試性和破壞性的實驗,這種方法不利于產品的推齣[1].提齣使用ISE-TCAD工具對ESD保護電路進行模擬和優化,以快速地穫取麵積參數.併以某一典型0.6 μm CMOS工藝的可控硅整流器(SCR)結構為例,進行ESD人體放電模型的模擬和麵積估算,達到瞭縮短設計週期,和增加設計成功率的目的.
전통적편상정전방전(ESD)보호전로설계주요기우상시성화파배성적실험,저충방법불리우산품적추출[1].제출사용ISE-TCAD공구대ESD보호전로진행모의화우화,이쾌속지획취면적삼수.병이모일전형0.6 μm CMOS공예적가공규정류기(SCR)결구위례,진행ESD인체방전모형적모의화면적고산,체도료축단설계주기,화증가설계성공솔적목적.
