物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2010年
6期
1617-1622
,共6页
翟晓辉%赵俊岩%巢晖%曹亚安
翟曉輝%趙俊巖%巢暉%曹亞安
적효휘%조준암%소휘%조아안
Rup2P%表面敏化%TiO2-Zn/ITO%TiO2/ZnO/ITO%光致界而电荷转移
Rup2P%錶麵敏化%TiO2-Zn/ITO%TiO2/ZnO/ITO%光緻界而電荷轉移
Rup2P%표면민화%TiO2-Zn/ITO%TiO2/ZnO/ITO%광치계이전하전이
采用离子束溅射技术制备出TiO2/ITO、Zn2+掺杂的TiO2(TiO2-Zn)/ITO和TiO2/ZnO/ITO薄膜,采用表面敏化技术和旋转涂膜法,制备出(1,10-邻菲咯啉)2-2-(2-吡啶基)笨咪唑钌混配配合物(Rup2P)表面敏化的TiO2基复合薄膜Rup2P/TiO2/ITO、Rup2P/TiO2-Zn/ITO和Rup2P/TiO2/ZnO/ITO.表面光电压谱(SPS)结果发现:敏化后的TiO2基薄膜在可见区(400-600 nm)产牛SPS响应;TiO2基薄膜的能带结构不同,其在400-600 nm和350 nm处的SPS响应的峰高比不同.利用电场诱导表而光电压谱(EFISPS),测定TiO2基薄膜和表面敏化TiO2基复合薄膜各种物理参数,并确定其能带结构.分析可知,表面敏化TiO2基复合薄膜在400-600 nm的SPS响应峰主要源于Rup2P分子的中心离子Ru4d能级到配体1,10-邻菲咯啉仃π1*和2-(2-吡啶基)苯咪唑π2*能级的跃迁;TiO2中Zn2+掺杂能级有利于Ru4d能级到配体π1*和π2*跃迁的光生电子向TiO2-Zn导带的注入;TiO2/ZnO异质结构有利于光生电子向ITO表面的转移,从而导致可见光(400-600 nm)SPS响应增强以及光电转换效率的提高.
採用離子束濺射技術製備齣TiO2/ITO、Zn2+摻雜的TiO2(TiO2-Zn)/ITO和TiO2/ZnO/ITO薄膜,採用錶麵敏化技術和鏇轉塗膜法,製備齣(1,10-鄰菲咯啉)2-2-(2-吡啶基)笨咪唑釕混配配閤物(Rup2P)錶麵敏化的TiO2基複閤薄膜Rup2P/TiO2/ITO、Rup2P/TiO2-Zn/ITO和Rup2P/TiO2/ZnO/ITO.錶麵光電壓譜(SPS)結果髮現:敏化後的TiO2基薄膜在可見區(400-600 nm)產牛SPS響應;TiO2基薄膜的能帶結構不同,其在400-600 nm和350 nm處的SPS響應的峰高比不同.利用電場誘導錶而光電壓譜(EFISPS),測定TiO2基薄膜和錶麵敏化TiO2基複閤薄膜各種物理參數,併確定其能帶結構.分析可知,錶麵敏化TiO2基複閤薄膜在400-600 nm的SPS響應峰主要源于Rup2P分子的中心離子Ru4d能級到配體1,10-鄰菲咯啉仃π1*和2-(2-吡啶基)苯咪唑π2*能級的躍遷;TiO2中Zn2+摻雜能級有利于Ru4d能級到配體π1*和π2*躍遷的光生電子嚮TiO2-Zn導帶的註入;TiO2/ZnO異質結構有利于光生電子嚮ITO錶麵的轉移,從而導緻可見光(400-600 nm)SPS響應增彊以及光電轉換效率的提高.
채용리자속천사기술제비출TiO2/ITO、Zn2+참잡적TiO2(TiO2-Zn)/ITO화TiO2/ZnO/ITO박막,채용표면민화기술화선전도막법,제비출(1,10-린비각람)2-2-(2-필정기)분미서조혼배배합물(Rup2P)표면민화적TiO2기복합박막Rup2P/TiO2/ITO、Rup2P/TiO2-Zn/ITO화Rup2P/TiO2/ZnO/ITO.표면광전압보(SPS)결과발현:민화후적TiO2기박막재가견구(400-600 nm)산우SPS향응;TiO2기박막적능대결구불동,기재400-600 nm화350 nm처적SPS향응적봉고비불동.이용전장유도표이광전압보(EFISPS),측정TiO2기박막화표면민화TiO2기복합박막각충물리삼수,병학정기능대결구.분석가지,표면민화TiO2기복합박막재400-600 nm적SPS향응봉주요원우Rup2P분자적중심리자Ru4d능급도배체1,10-린비각람정π1*화2-(2-필정기)분미서π2*능급적약천;TiO2중Zn2+참잡능급유리우Ru4d능급도배체π1*화π2*약천적광생전자향TiO2-Zn도대적주입;TiO2/ZnO이질결구유리우광생전자향ITO표면적전이,종이도치가견광(400-600 nm)SPS향응증강이급광전전환효솔적제고.
