电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2011年
10期
15-17
,共3页
SOT82功率产品%热阻%焊料厚度控制%ESEC2005
SOT82功率產品%熱阻%銲料厚度控製%ESEC2005
SOT82공솔산품%열조%한료후도공제%ESEC2005
SOT82 power device%DVT high%solder thickness control%ESEC2005
文章首先列出了封装过程中可能对SOT82功率产品热阻产生影响的所有因素,并对其中几个关键因素进行了原因分析,如空洞、锡层厚度、锡层倾斜度等。其后,针对这几个关键因素,分别进行对应的装配过程优化改善,来保证SOT82功率产品的热阻稳定。
文章首先列齣瞭封裝過程中可能對SOT82功率產品熱阻產生影響的所有因素,併對其中幾箇關鍵因素進行瞭原因分析,如空洞、錫層厚度、錫層傾斜度等。其後,針對這幾箇關鍵因素,分彆進行對應的裝配過程優化改善,來保證SOT82功率產品的熱阻穩定。
문장수선렬출료봉장과정중가능대SOT82공솔산품열조산생영향적소유인소,병대기중궤개관건인소진행료원인분석,여공동、석층후도、석층경사도등。기후,침대저궤개관건인소,분별진행대응적장배과정우화개선,래보증SOT82공솔산품적열조은정。
First, in this paper we lists major factors which lead to DVT high for SOT82 power device in the assembly process, find out the root causes for some key factors, such as void, solder thickness and die tilt etc. Then ,we have taken some effective improvements for these causes which could reduce the DVT high failure yield.