电子质量
電子質量
전자질량
ELECTRONICS QUALITY
2010年
5期
18-19
,共2页
锗单晶%薄园片%电阻率%不均匀性
鍺單晶%薄園片%電阻率%不均勻性
타단정%박완편%전조솔%불균균성
文章对Φ52mm×1.8mm薄园片锗单晶的电阻率进行测试.通过引入锗园片的厚度修正系数和直径修正系数,得到锗园片中心电阻率是23.51 Ω.cm,园片边缘为27.16Ω.cm,不均匀性15.53%,提高了电阻率测定的准确性.
文章對Φ52mm×1.8mm薄園片鍺單晶的電阻率進行測試.通過引入鍺園片的厚度脩正繫數和直徑脩正繫數,得到鍺園片中心電阻率是23.51 Ω.cm,園片邊緣為27.16Ω.cm,不均勻性15.53%,提高瞭電阻率測定的準確性.
문장대Φ52mm×1.8mm박완편타단정적전조솔진행측시.통과인입타완편적후도수정계수화직경수정계수,득도타완편중심전조솔시23.51 Ω.cm,완편변연위27.16Ω.cm,불균균성15.53%,제고료전조솔측정적준학성.
