人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
6期
1370-1373
,共4页
吴海信%王振友%倪友保%耿磊%毛明生%黄飞
吳海信%王振友%倪友保%耿磊%毛明生%黃飛
오해신%왕진우%예우보%경뢰%모명생%황비
AgGaGeS4%多晶合成%二温区%气相输运
AgGaGeS4%多晶閤成%二溫區%氣相輸運
AgGaGeS4%다정합성%이온구%기상수운
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.
本文直接使用高純Ag,Ga,Ge,S單質作為原料閤成AgGaGeS4多晶.為防止S蒸氣高壓使多晶閤成管炸裂,採用雙溫區氣相輸運的閤成方法.對閤成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射圖譜與標準JC-PDF卡片上峰值位置一緻,錶明樣品為高純單相AgGaGeS4多晶.使用該多晶原料成功生長齣瞭優質單晶,併對閤成工藝中存在的關鍵問題進行瞭討論.
본문직접사용고순Ag,Ga,Ge,S단질작위원료합성AgGaGeS4다정.위방지S증기고압사다정합성관작렬,채용쌍온구기상수운적합성방법.대합성적다정작분말연사(XRD)분석,연사도보여표준JC-PDF잡편상봉치위치일치,표명양품위고순단상AgGaGeS4다정.사용해다정원료성공생장출료우질단정,병대합성공예중존재적관건문제진행료토론.
