硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2008年
24期
8-8,92
,共2页
SiGe%MOSFET器件%阈值电压%解析模型
SiGe%MOSFET器件%閾值電壓%解析模型
SiGe%MOSFET기건%역치전압%해석모형
在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合.
在分析應變Si/應變Sil-YGeY/馳豫Sil-XGeX pMOSFET的在柵極電壓作用下電荷在柵氧化層下麵的分佈情況的基礎上,通過求解泊鬆方程,得到此器件的隱埋SiGe溝道閾值電壓解析模型和錶麵溝道的閾值電壓解析模型,併用典型參數對模型進行瞭模擬,得到的模擬結果與實驗結果能夠很好的吻閤.
재분석응변Si/응변Sil-YGeY/치예Sil-XGeX pMOSFET적재책겁전압작용하전하재책양화층하면적분포정황적기출상,통과구해박송방정,득도차기건적은매SiGe구도역치전압해석모형화표면구도적역치전압해석모형,병용전형삼수대모형진행료모의,득도적모의결과여실험결과능구흔호적문합.
