光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
12期
1610-1613
,共4页
王斌%何志群%赵瓛%孙剑渊%梁春军%刘应良%曹少魁
王斌%何誌群%趙瓛%孫劍淵%樑春軍%劉應良%曹少魁
왕빈%하지군%조환%손검연%량춘군%류응량%조소괴
聚1,4二(1-氰基)乙烯基撑苯撑3,7-N-辛基-吩噻嗪撑%光伏响应%开路电压%短路电流%激子
聚1,4二(1-氰基)乙烯基撐苯撐3,7-N-辛基-吩噻嗪撐%光伏響應%開路電壓%短路電流%激子
취1,4이(1-청기)을희기탱분탱3,7-N-신기-분새진탱%광복향응%개로전압%단로전류%격자
研究了新型光电聚合物材料聚1,4二(1-氰基)乙烯基撑苯撑3,7-N-辛基吩噻嗪撑(PQP)的电学性能和光伏特性.首先制备了结构为ITO/PQP/Al的单层器件.在暗场条件下,器件的电流一电压特性曲线呈典型的二极管整流特征.在白光二极管照射下器件可以获得光伏响应,开路电压(Voc)为0.2 V,填充因子(ff)为0.27.此外,在单层器件的基础上,研究了与茈的衍生物PTCDI-C13结合制备的双层结构器件ITO/PQP/PTC-DI-C13/Al的光伏性能.与单层器件相比,双层器件的Voc可提高到0.9 V.双层器件的开路电压显著增加表明开路电压不仅仅受电极功函数的影响,还与受主的LUMO和施主的HOMO之间的能带有关.
研究瞭新型光電聚閤物材料聚1,4二(1-氰基)乙烯基撐苯撐3,7-N-辛基吩噻嗪撐(PQP)的電學性能和光伏特性.首先製備瞭結構為ITO/PQP/Al的單層器件.在暗場條件下,器件的電流一電壓特性麯線呈典型的二極管整流特徵.在白光二極管照射下器件可以穫得光伏響應,開路電壓(Voc)為0.2 V,填充因子(ff)為0.27.此外,在單層器件的基礎上,研究瞭與茈的衍生物PTCDI-C13結閤製備的雙層結構器件ITO/PQP/PTC-DI-C13/Al的光伏性能.與單層器件相比,雙層器件的Voc可提高到0.9 V.雙層器件的開路電壓顯著增加錶明開路電壓不僅僅受電極功函數的影響,還與受主的LUMO和施主的HOMO之間的能帶有關.
연구료신형광전취합물재료취1,4이(1-청기)을희기탱분탱3,7-N-신기분새진탱(PQP)적전학성능화광복특성.수선제비료결구위ITO/PQP/Al적단층기건.재암장조건하,기건적전류일전압특성곡선정전형적이겁관정류특정.재백광이겁관조사하기건가이획득광복향응,개로전압(Voc)위0.2 V,전충인자(ff)위0.27.차외,재단층기건적기출상,연구료여자적연생물PTCDI-C13결합제비적쌍층결구기건ITO/PQP/PTC-DI-C13/Al적광복성능.여단층기건상비,쌍층기건적Voc가제고도0.9 V.쌍층기건적개로전압현저증가표명개로전압불부부수전겁공함수적영향,환여수주적LUMO화시주적HOMO지간적능대유관.
