光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
4期
217-226,231
,共11页
ZnO基薄膜晶体管%最新进展%产业化
ZnO基薄膜晶體管%最新進展%產業化
ZnO기박막정체관%최신진전%산업화
ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET,在最近几年受到广泛的关注.简单介绍了ZnO基TFT的结构、原理、各层材料的作用、要求和制造方法以及可靠性研究,包括时间、温度和可见光或紫外光辐照以及偏压作用对器件特性的影响方面的最新进展,分析了实现产业化尚需克服的问题.
ZnO基TFT被認為是最有可能取代噹前大規模產業化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET,在最近幾年受到廣汎的關註.簡單介紹瞭ZnO基TFT的結構、原理、各層材料的作用、要求和製造方法以及可靠性研究,包括時間、溫度和可見光或紫外光輻照以及偏壓作用對器件特性的影響方麵的最新進展,分析瞭實現產業化尚需剋服的問題.
ZnO기TFT피인위시최유가능취대당전대규모산업화적a-Si:H TFT적하일대MOSFET,재최근궤년수도엄범적관주.간단개소료ZnO기TFT적결구、원리、각층재료적작용、요구화제조방법이급가고성연구,포괄시간、온도화가견광혹자외광복조이급편압작용대기건특성적영향방면적최신진전,분석료실현산업화상수극복적문제.
