半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
171-174
,共4页
刘磁辉%徐小秋%钟泽%傅竹西
劉磁輝%徐小鞦%鐘澤%傅竹西
류자휘%서소추%종택%부죽서
氧化锌薄膜%I-V特性%深能级%施主-受主发光
氧化鋅薄膜%I-V特性%深能級%施主-受主髮光
양화자박막%I-V특성%심능급%시주-수주발광
用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
用溶膠凝膠法(sol-gel technique)在p-Si上製備LiCl:ZnO薄膜.試樣分彆進行O2-600℃,O2-900℃熱退火處理.在77～325K溫度範圍內作電流-溫度(I-T)和深能級瞬態譜(DLTS)測量.DLTS測量穫得的兩種試樣中存在一箇穩定的深能級中心.(I-T)測量證實這箇深能級中心是與ZnO的本徵缺陷相關的.室溫PL譜測量得到兩種試樣存在較彊的深能級髮光,而紫外髮光較弱.由實驗結果推測,試樣主要的深能級髮光過程是電子從雙離化Zni**施主能級嚮單離化V'zn受主能級的躍遷.在O2氣氛退火作用下深能級的髮光彊度增彊.
용용효응효법(sol-gel technique)재p-Si상제비LiCl:ZnO박막.시양분별진행O2-600℃,O2-900℃열퇴화처리.재77～325K온도범위내작전류-온도(I-T)화심능급순태보(DLTS)측량.DLTS측량획득적량충시양중존재일개은정적심능급중심.(I-T)측량증실저개심능급중심시여ZnO적본정결함상관적.실온PL보측량득도량충시양존재교강적심능급발광,이자외발광교약.유실험결과추측,시양주요적심능급발광과정시전자종쌍리화Zni**시주능급향단리화V'zn수주능급적약천.재O2기분퇴화작용하심능급적발광강도증강.
