CAJ | 학술논문

采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.
채용InP/InGaAs HBT여PIN광탐측기단편집성방안,대광접수광전집성전로(OEIC)적외연재료결구화생장、전로설계、제작공예화성능측시진행료연구.기우자대준InP/InGaAs HBT공예,실현료1.55μm파장단편집성광접수OEIC.발사겁척촌2μm×8μm적InP/InGaAs HBT직류증익위40,절지빈솔화최고진탕빈솔분별위45화54GHz;집성InGaAs PIN광탐측기재-5V하향응도위0.45A/W@1.55/μm,암전류소우10nA,-3dB대관체도10.6GHz;연제적HBT/PIN단편집성광접수OEIC재2.5화3.0Gb/s속솔비귀령223-1위수궤마전수공작시가이관찰도장개적안도,령민도≤-15.2dBm@BER=10-9.