半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
11期
937-939
,共3页
焊盘%再结晶缺陷%湿法清洗
銲盤%再結晶缺陷%濕法清洗
한반%재결정결함%습법청세
芯片焊盘上的再结晶缺陷是引起半导体后段封测工艺中键合失效的主要原因之一.国际上已经对这一缺陷的形成有了一定的理论分析,也提出了可以通过湿法清洗来去除此缺陷.在此基础上,通过对湿法清洗这一制程的优化,可在抑制焊盘表面再结晶缺陷的同时,有效地避免随之产生的焊盘腐蚀的问题,并且通过更换晶盒的步骤进一步降低了再结晶缺陷出现的可能性.同时提出了氟浓度对再结晶缺陷的影响以及对此的监测方法,对于大生产过程中抑制焊盘表面再结晶缺陷形成有一定的参考价值.
芯片銲盤上的再結晶缺陷是引起半導體後段封測工藝中鍵閤失效的主要原因之一.國際上已經對這一缺陷的形成有瞭一定的理論分析,也提齣瞭可以通過濕法清洗來去除此缺陷.在此基礎上,通過對濕法清洗這一製程的優化,可在抑製銲盤錶麵再結晶缺陷的同時,有效地避免隨之產生的銲盤腐蝕的問題,併且通過更換晶盒的步驟進一步降低瞭再結晶缺陷齣現的可能性.同時提齣瞭氟濃度對再結晶缺陷的影響以及對此的鑑測方法,對于大生產過程中抑製銲盤錶麵再結晶缺陷形成有一定的參攷價值.
심편한반상적재결정결함시인기반도체후단봉측공예중건합실효적주요원인지일.국제상이경대저일결함적형성유료일정적이론분석,야제출료가이통과습법청세래거제차결함.재차기출상,통과대습법청세저일제정적우화,가재억제한반표면재결정결함적동시,유효지피면수지산생적한반부식적문제,병차통과경환정합적보취진일보강저료재결정결함출현적가능성.동시제출료불농도대재결정결함적영향이급대차적감측방법,대우대생산과정중억제한반표면재결정결함형성유일정적삼고개치.
