半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
10期
1574-1579
,共6页
李阳%孟志国%吴春亚%王文%郭海成%张芳%熊绍珍
李暘%孟誌國%吳春亞%王文%郭海成%張芳%熊紹珍
리양%맹지국%오춘아%왕문%곽해성%장방%웅소진
金属诱导晶化多晶硅%磷硅玻璃%动态镍吸除%固溶度
金屬誘導晶化多晶硅%燐硅玻璃%動態鎳吸除%固溶度
금속유도정화다정규%린규파리%동태얼흡제%고용도
首先阐述了MIC薄膜多晶硅材料动态镍吸杂技术的基本机理和主要工艺过程,然后以多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)为例研究了动态吸杂技术的应用.在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份.而大部分存在于对撞晶界的残余镍成份会造成大量的缺陷,这将导致TFT器件性能乃至整个系统的稳定性和可靠性的降低.为了改善MIC薄膜及器件质量,我们采用磷硅玻璃(PSG)动态镍吸杂技术,有效地吸除镍,降低多晶硅中镍的残留量,改善对撞晶界的缺陷密度,降低用之制备TFT的漏电流.该技术工艺过程简单,处理成本低,适合于大批量的工业化生产,有望成为制备高稳定性微电子器件与电路系统的必需工艺技术.
首先闡述瞭MIC薄膜多晶硅材料動態鎳吸雜技術的基本機理和主要工藝過程,然後以多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)為例研究瞭動態吸雜技術的應用.在研究金屬誘導晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之為有源層的poly-Si TFT的過程中,髮現在MIC多晶硅薄膜中含有部分殘餘的鎳成份.而大部分存在于對撞晶界的殘餘鎳成份會造成大量的缺陷,這將導緻TFT器件性能迺至整箇繫統的穩定性和可靠性的降低.為瞭改善MIC薄膜及器件質量,我們採用燐硅玻璃(PSG)動態鎳吸雜技術,有效地吸除鎳,降低多晶硅中鎳的殘留量,改善對撞晶界的缺陷密度,降低用之製備TFT的漏電流.該技術工藝過程簡單,處理成本低,適閤于大批量的工業化生產,有望成為製備高穩定性微電子器件與電路繫統的必需工藝技術.
수선천술료MIC박막다정규재료동태얼흡잡기술적기본궤리화주요공예과정,연후이다정규박막정체관(poly-Si TFT)위례연구료동태흡잡기술적응용.재연구금속유도정화다정규재료(MIC poly-Si)화이지위유원층적poly-Si TFT적과정중,발현재MIC다정규박막중함유부분잔여적얼성빈.이대부분존재우대당정계적잔여얼성빈회조성대량적결함,저장도치TFT기건성능내지정개계통적은정성화가고성적강저.위료개선MIC박막급기건질량,아문채용린규파리(PSG)동태얼흡잡기술,유효지흡제얼,강저다정규중얼적잔류량,개선대당정계적결함밀도,강저용지제비TFT적루전류.해기술공예과정간단,처리성본저,괄합우대비량적공업화생산,유망성위제비고은정성미전자기건여전로계통적필수공예기술.
