氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究
담원소대고k협기개전박막총제량항복사성능적영향연구
Effects of nitrogen element on total-dose irradiation response of high-k Hf-based dielectric films
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2007年 8期 675-678 ,共4页

    宋朝瑞%程新红%张恩霞%邢玉梅%俞跃辉%郑志宏%沈勤我%张正选%王曦

    송조서%정신홍%장은하%형옥매%유약휘%정지굉%침근아%장정선%왕희

    高kHfON介电薄膜%总剂量辐射%陷阱电荷 高kHfON介電薄膜%總劑量輻射%陷阱電荷
    고kHfON개전박막%총제량복사%함정전하
    本文采用MIS电容结构,结合10keV X射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能.研究结果表明,在0-30 kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2 MIS电容结构.从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理.
    본문채용MIS전용결구,결합10keV X사선복조시험,연구료HfON화HfO2개전박막적총제량항복사성능.연구결과표명,재0-30 kGy(Si)적복조총제량하,이HfON박막위절연층적MIS결구적평대전압표이균원저우HfO2 MIS전용결구.종미관각도탐토료담원소대개진고k협기개전박막총제량항복사성능적작용궤리.
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