中国电机工程学报
中國電機工程學報
중국전궤공정학보
ZHONGGUO DIANJI GONGCHENG XUEBAO
2006年
z1期
119-124
,共6页
邱清泉%励庆孚%YU Jiao%FINELY Jim
邱清泉%勵慶孚%YU Jiao%FINELY Jim
구청천%려경부%YU Jiao%FINELY Jim
磁控溅射%等离子体%永磁%磁场%设计%改进
磁控濺射%等離子體%永磁%磁場%設計%改進
자공천사%등리자체%영자%자장%설계%개진
矩形平面直流磁控溅射装置在运行过程中,由于端部区域磁场弱于直道区域磁场,在靶表面对角线位置上容易出现反常刻蚀.通过对这种现象进行分析,该文对反常刻蚀的发生机理提出了新的观点,认为反常刻蚀的发生是由于电子由弱磁场区域向强磁场区域漂移的过程中,电子距靶表面的距离不能够随磁场变化而迅速改变,存在较长的过渡状态.进一步发现在磁体弯道区域沿圆周方向磁场分量的存在是导致弯道区域刻蚀跑道压缩以及跑道内侧刻蚀较快的重要因素.该文研究了不同的磁体初始设计结构对磁场的影响,通过对现有磁体磁场的三维计算分析,提出了磁场的改进原则,并对具体的磁场改进措施进行了研究.通过对现有不同磁场校正方法的比较,提出了一种应用铁块和永磁块对装置端部区域磁场进行校正的新方法.通过对改进后装置的磁场分布进行计算,该文提出的改进措施可以把沿跑道磁场的均匀度控制在5%左右,并且可以削弱沿圆周方向的磁场分量.
矩形平麵直流磁控濺射裝置在運行過程中,由于耑部區域磁場弱于直道區域磁場,在靶錶麵對角線位置上容易齣現反常刻蝕.通過對這種現象進行分析,該文對反常刻蝕的髮生機理提齣瞭新的觀點,認為反常刻蝕的髮生是由于電子由弱磁場區域嚮彊磁場區域漂移的過程中,電子距靶錶麵的距離不能夠隨磁場變化而迅速改變,存在較長的過渡狀態.進一步髮現在磁體彎道區域沿圓週方嚮磁場分量的存在是導緻彎道區域刻蝕跑道壓縮以及跑道內側刻蝕較快的重要因素.該文研究瞭不同的磁體初始設計結構對磁場的影響,通過對現有磁體磁場的三維計算分析,提齣瞭磁場的改進原則,併對具體的磁場改進措施進行瞭研究.通過對現有不同磁場校正方法的比較,提齣瞭一種應用鐵塊和永磁塊對裝置耑部區域磁場進行校正的新方法.通過對改進後裝置的磁場分佈進行計算,該文提齣的改進措施可以把沿跑道磁場的均勻度控製在5%左右,併且可以削弱沿圓週方嚮的磁場分量.
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