Si衬底GaN基LED理想因子的研究
Si츤저GaN기LED이상인자적연구
Research on the ideality factor of GaN light -emitting diodes on Si substrate
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2006年 1期 45-48 ,共4页

    刘卫华%李有群%方文卿%周毛兴%刘和初%莫春兰%王立%江风益

    류위화%리유군%방문경%주모흥%류화초%막춘란%왕립%강풍익

    Si衬底%GaN%LED%理想因子 Si襯底%GaN%LED%理想因子
    Si츤저%GaN%LED%이상인자
    首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
    수차보도Si츤저GaN LED적이상인자.통과GaN LEDI-V곡선여기외연막결정성능상비교,발현이상인자적대소여X사선쌍정연사요파곡선(102)면반봉관유착대응관계:실온시Si츤저GaN LED적이상인자위6.6,대응착반봉관707arcsec;이상인자위4.5시,대응반봉관530arcsec.람보석츤저GaN LED이상인자위3.0,기대응반봉관401arcsec.규츤저GaN LED이상인자대적원인가이귀결위고결함밀도소치,고결함밀도사전류수천경용역진행.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문