人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
5期
915-919
,共5页
MOCVD%转换效率%外延
MOCVD%轉換效率%外延
MOCVD%전환효솔%외연
随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁带宽度可以调整为0.95eV～1.05eV,是有望实现突破的材料.我们通过选取合适的生长方案,在D180MOCVD系统上外延生长了InxGa1-xAs1-yNy材料,并通过高分辨X光双晶衍射仪、分光光度计以及电化学电容-电压(EC-V)测试仪等对材料性能进行了分析.获得了室温下禁带宽度为1.17eV的InxGa1-xAs1-xNy材料.
隨著InGaP2/InGaAs/Ge三結太暘電池技術日趨成熟,具有更高理論效率的基于GaAs體繫的四結電池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已經受到人們的關註,經過計算,要求新材料的禁帶寬度應該為0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁帶寬度可以調整為0.95eV～1.05eV,是有望實現突破的材料.我們通過選取閤適的生長方案,在D180MOCVD繫統上外延生長瞭InxGa1-xAs1-yNy材料,併通過高分辨X光雙晶衍射儀、分光光度計以及電化學電容-電壓(EC-V)測試儀等對材料性能進行瞭分析.穫得瞭室溫下禁帶寬度為1.17eV的InxGa1-xAs1-xNy材料.
수착InGaP2/InGaAs/Ge삼결태양전지기술일추성숙,구유경고이론효솔적기우GaAs체계적사결전지신재료AlInGaP/InGaAs/?(신재료)/Ge이경수도인문적관주,경과계산,요구신재료적금대관도응해위0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy재료적금대관도가이조정위0.95eV～1.05eV,시유망실현돌파적재료.아문통과선취합괄적생장방안,재D180MOCVD계통상외연생장료InxGa1-xAs1-yNy재료,병통과고분변X광쌍정연사의、분광광도계이급전화학전용-전압(EC-V)측시의등대재료성능진행료분석.획득료실온하금대관도위1.17eV적InxGa1-xAs1-xNy재료.
