电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
1期
53-56
,共4页
王强%姜斌%邓宏%李如东
王彊%薑斌%鄧宏%李如東
왕강%강빈%산굉%리여동
半导体技术%硼磷硅玻璃%常压化学气相沉积%磷酸硼结晶
半導體技術%硼燐硅玻璃%常壓化學氣相沉積%燐痠硼結晶
반도체기술%붕린규파리%상압화학기상침적%린산붕결정
BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用.常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响.以WJ-999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响.研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化.蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加.B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃.过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能.
BPSG(硼燐硅玻璃)薄膜作為一種重要的層間介質,在半導體集成電路中廣汎使用.常壓化學氣相沉積的BPSG薄膜中B、P含量(質量分數)對BPSG的性能有著顯著影響.以WJ-999R機檯為基礎,詳細研究瞭B、P含量的變化對對BPSG薄膜的沉積率、蝕刻率及其對迴流效果的影響.研究髮現:沉積率隨著B含量的增加而增加;噹P含量由0至1%時沉積率突然降低,隨後隨P含量的增加無顯著變化.蝕刻率則隨B含量的增加而降低,隨P含量的增加而增加.B含量對迴流效果的影響顯著彊于P含量的影響,每增加1%的B,玻璃軟化溫度降低約40℃.過高過低的B、P含量會產生異常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有著優良的性能.
BPSG(붕린규파리)박막작위일충중요적층간개질,재반도체집성전로중엄범사용.상압화학기상침적적BPSG박막중B、P함량(질량분수)대BPSG적성능유착현저영향.이WJ-999R궤태위기출,상세연구료B、P함량적변화대대BPSG박막적침적솔、식각솔급기대회류효과적영향.연구발현:침적솔수착B함량적증가이증가;당P함량유0지1%시침적솔돌연강저,수후수P함량적증가무현저변화.식각솔칙수B함량적증가이강저,수P함량적증가이증가.B함량대회류효과적영향현저강우P함량적영향,매증가1%적B,파리연화온도강저약40℃.과고과저적B、P함량회산생이상,재3%B,5%P함량하BPSG박막유착우량적성능.
