半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
148-152
,共5页
刘晓彦%刘恩峰%杜刚%刘弋波%夏志良%韩汝琦
劉曉彥%劉恩峰%杜剛%劉弋波%夏誌良%韓汝琦
류효언%류은봉%두강%류익파%하지량%한여기
纳米尺度%半导体器件模拟%流体动力学%量子效应
納米呎度%半導體器件模擬%流體動力學%量子效應
납미척도%반도체기건모의%류체동역학%양자효응
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟.模拟结果表明,改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求,用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计.
利用從量子波爾玆曼方程簡化得到的雙量子脩正和計入載流子動量的全流體動力學模型,編製瞭流體動力學半導體器件模擬程序,併對柵長25nm的體硅MOSFET和柵長30nm的FinFET結構進行瞭模擬.模擬結果錶明,改進後的流體動力學模型在工程應用中能夠適應模擬納米級MOSFET的要求,用于納米級MOSFET的特性研究和優化設計.
이용종양자파이자만방정간화득도적쌍양자수정화계입재류자동량적전류체동역학모형,편제료류체동역학반도체기건모의정서,병대책장25nm적체규MOSFET화책장30nm적FinFET결구진행료모의.모의결과표명,개진후적류체동역학모형재공정응용중능구괄응모의납미급MOSFET적요구,용우납미급MOSFET적특성연구화우화설계.
