MOCVD生长1.06 μm InGaAs/GaAs量子阱LDs
MOCVD생장1.06 μm InGaAs/GaAs양자정LDs
MOCVD Growth of InGaAs/GaAs Quantum Well for 1 064 nm LDs
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2003年 6期 590-593 ,共4页

    潘教青%黄柏标%张晓阳%岳金顺%秦晓燕%于永芹%尉吉勇

    반교청%황백표%장효양%악금순%진효연%우영근%위길용

    应变量子阱%MOCVD%半导体激光器(LD) 應變量子阱%MOCVD%半導體激光器(LD)
    응변양자정%MOCVD%반도체격광기(LD)
    用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量.PL结果表明,10 s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好.该量子阱应用于1.06 μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100 μm×1 000 μm)有低阈值电流密度(110 A/cm2)和高的斜率效率(0.256 W/A,per.facet).
    용저압MOCVD생장응변InGaAs/GaAs양자정,채용중단생장、응변완충층(SBL)、개변생장속도화조절Ⅴ/Ⅲ등방법개선InGaAs/GaAs양자정적광치발광(PL)질량.PL결과표명,10 s생장중단결합괄당적SBL생장적양자정PL보교호.해양자정응용우1.06 μm격광기적제비,미도막적관조격광기(100 μm×1 000 μm)유저역치전류밀도(110 A/cm2)화고적사솔효솔(0.256 W/A,per.facet).
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