半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
6期
643-648
,共6页
王彦%叶凡%李联%郑增钰
王彥%葉凡%李聯%鄭增鈺
왕언%협범%리련%정증옥
10/100 Base-T%DLL%时钟恢复电路
10/100 Base-T%DLL%時鐘恢複電路
10/100 Base-T%DLL%시종회복전로
提出了一个新的用于10/100 Base-T以太网中面积和功耗优化的时钟恢复电路.它采用双环路的结构,加快了锁相环路的捕获和跟踪速度;采用复用的方式,通过选择信号控制电路可分别在10Mbps或100Mbps模式下独立工作且能方便地实现模式间的互换,与采用两个独立的CDR电路相比节省了一半的面积;同时,电路中采用一般的延迟单元来取代DLL,并能保证环路性能不随工艺温度等条件引起的延迟单元、延迟时间的变化而变化,从而节省了功耗.Hspice模拟结果显示,在Vdd=2.5V时,100Mbps模式下电路的功耗约为75mW,稳态相差为0.3ns;10Mbps模式时电路功耗为58mW,稳态相差为0.9ns.
提齣瞭一箇新的用于10/100 Base-T以太網中麵積和功耗優化的時鐘恢複電路.它採用雙環路的結構,加快瞭鎖相環路的捕穫和跟蹤速度;採用複用的方式,通過選擇信號控製電路可分彆在10Mbps或100Mbps模式下獨立工作且能方便地實現模式間的互換,與採用兩箇獨立的CDR電路相比節省瞭一半的麵積;同時,電路中採用一般的延遲單元來取代DLL,併能保證環路性能不隨工藝溫度等條件引起的延遲單元、延遲時間的變化而變化,從而節省瞭功耗.Hspice模擬結果顯示,在Vdd=2.5V時,100Mbps模式下電路的功耗約為75mW,穩態相差為0.3ns;10Mbps模式時電路功耗為58mW,穩態相差為0.9ns.
제출료일개신적용우10/100 Base-T이태망중면적화공모우화적시종회복전로.타채용쌍배로적결구,가쾌료쇄상배로적포획화근종속도;채용복용적방식,통과선택신호공제전로가분별재10Mbps혹100Mbps모식하독립공작차능방편지실현모식간적호환,여채용량개독립적CDR전로상비절성료일반적면적;동시,전로중채용일반적연지단원래취대DLL,병능보증배로성능불수공예온도등조건인기적연지단원、연지시간적변화이변화,종이절성료공모.Hspice모의결과현시,재Vdd=2.5V시,100Mbps모식하전로적공모약위75mW,은태상차위0.3ns;10Mbps모식시전로공모위58mW,은태상차위0.9ns.
