光电子技术与信息
光電子技術與信息
광전자기술여신식
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY & INFORMATION
2003年
3期
25-27
,共3页
王锐%李道火%黄永攀%罗丽明%浦坦
王銳%李道火%黃永攀%囉麗明%浦坦
왕예%리도화%황영반%라려명%포탄
激光诱导化学气相沉积%纳米Si3N4%双光束激发
激光誘導化學氣相沉積%納米Si3N4%雙光束激髮
격광유도화학기상침적%납미Si3N4%쌍광속격발
氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛.本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体.
氮化硅(Si3N4)是優良的陶瓷材料,應用十分廣汎.本文論述瞭激光誘導化學氣相沉積法製備納米Si3N4的工作原理,提齣瞭減少遊離硅的措施,採用雙光束激髮製備得到瞭超微的、非晶納米Si3N4粉體.
담화규(Si3N4)시우량적도자재료,응용십분엄범.본문논술료격광유도화학기상침적법제비납미Si3N4적공작원리,제출료감소유리규적조시,채용쌍광속격발제비득도료초미적、비정납미Si3N4분체.
